[发明专利]纳米线晶体管及制造方法在审
| 申请号： | 202011563895.1 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113851532A | 公开（公告）日： | 2021-12-28 |
| 发明（设计）人： | B·古哈;B·格林;R·赵;A·福斯特;C-H·林;C·蔡;K·菲舍尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L21/335;B82Y10/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 舒雄文 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种纳米线晶体管及制造方法。一种晶体管结构包括在第二沟道层之上的第一沟道层，其中，第一沟道层和第二沟道层包括单晶硅。外延源极材料耦合到第一沟道层和第二沟道层的第一端。外延漏极材料耦合到第一沟道层和第二沟道层的第二端，栅电极在外延源极材料与外延漏极材料之间，并且在第一沟道层周围且在第二沟道层周围。该晶体管结构还包括在栅电极与第一沟道层和第二沟道层中的每一个之间的第一栅极电介质层，其中，第一栅极电介质层具有第一介电常数。第二栅极电介质层在第一栅极电介质层与栅电极之间，其中，第二栅极电介质层具有第二介电常数。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 晶体管 制造 方法 | ||
【主权项】：
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