[发明专利]具有垂直侧壁的自对准栅极端盖(SAGE)架构在审
| 申请号： | 202011563905.1 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113629053A | 公开（公告）日： | 2021-11-09 |
| 发明（设计）人： | R·K·达斯;K·希卡迪;R·佩尔斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L27/092 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 描述了具有垂直侧壁的自对准栅极端盖(SAGE)架构以及制造具有垂直侧壁的自对准栅极端盖(SAGE)架构的方法。在示例中，一种集成电路结构包括半导体鳍，该半导体鳍具有沿所述半导体鳍的长度的侧壁，每个侧壁从所述半导体鳍的顶部朝向所述半导体鳍的底部向外成锥形。栅极端盖隔离结构与所述半导体鳍间隔开并且具有平行于所述半导体鳍的所述长度的长度。所述栅极端盖隔离结构具有基本垂直的侧壁，所述基本垂直的侧壁横向面向所述半导体鳍的所述向外成锥形的侧壁中的一个侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 垂直 侧壁 对准 栅极 sage 架构 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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