[发明专利]半导体结构的制造方法在审
| 申请号： | 202011564060.8 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN113053818A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 徐梓翔;陈定业;李威养;杨丰诚;陈燕铭 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 谢强;黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种半导体结构的制造方法和半导体结构，该半导体结构包括：一半导体鳍部，设置于一基底上方；一金属栅极堆叠，设置于半导体鳍部上方；一外延源极/漏极(S/D)特征部件，设置于半导体鳍部上方，且相邻于金属栅极堆叠；以及一介电特征部件，嵌入半导体鳍部内，其中外延源极/漏极(S/D)特征部件的下表面设置于介电特征部件的上表面上，且外延源极/漏极(S/D)特征部件的侧壁延伸而定义出介电特征部件的侧壁。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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