[发明专利]双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其驱动电路在审
| 申请号： | 202011565442.2 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112614826A | 公开（公告）日： | 2021-04-06 |
| 发明（设计）人： | 邵天骢;李志君;郑琼林;黄波;王俊兴 | 申请（专利权）人： | 北京交通大学;泰科天润半导体科技（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/07 | 分类号： | H01L25/07;H03K19/0175 |
| 代理公司： | 福州市鼓楼区京华专利事务所(普通合伙) 35212 | 代理人： | 王牌 |
| 地址： | 100000 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明提供了一种双栅型功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其驱动电路,包括主功率单元以及辅助稳定单元，所述主功率单元为第一MOSFETQ |
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| 搜索关键词： | 双栅型 功率 金属 氧化物 半导体 场效应 晶体管 及其 驱动 电路 | ||
【主权项】：
暂无信息
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