[发明专利]量子点器件的制备方法及量子点器件在审
| 申请号： | 202011566573.2 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN112687826A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张钦彤;裴天;陈剑豪 | 申请（专利权）人： | 北京量子信息科学研究院 |
| 主分类号： | H01L51/56 | 分类号： | H01L51/56;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京华进京联知识产权代理有限公司 11606 | 代理人： | 孙岩 |
| 地址： | 100089 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种量子点器件的制备方法及量子点器件，在制备多个注入电极结构(PG)与多个势垒电极结构(BG)时，进行了一次曝光的步骤，相比于传统的制备方法，减少了曝光步骤，可以降低制备成本。多个注入电极结构(PG)与多个势垒电极结构(BG)间隔设置于功函数结构，彼此之间相互独立。第二子电介质层制备于多个注入电极结构(PG)的侧壁表面和多个势垒电极结构(BG)的侧壁表面。此时，多个注入电极结构(PG)和多个势垒电极结构(BG)之间不存在纵向方向上电介质层相互重叠的问题，避免了电介质层相互重叠导致的削弱电极的场效应、增加电极的阈值电压、电极之间的漏电以及引入不必要噪声等问题。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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