[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011568825.5 | 申请日： | 2020-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN114678422A | 公开（公告）日： | 2022-06-28 |
| 发明（设计）人： | 郑二虎 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/768;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，其中，方法包括：提供基底；在所述基底内形成若干源漏结构；在所述基底、以及若干所述源漏结构表面形成第一介质层；在所述第一介质层内形成位于所述源漏结构表面的第一导电结构；在形成所述第一导电结构之后，采用选择性成膜工艺在所述第一导电结构顶面形成牺牲层；在形成所述牺牲层后，在所述第一介质层表面形成第二介质层，并且，所述牺牲层与所述第二介质层的材料不同。从而，提高了所形成的半导体结构的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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