[发明专利]一种双氧化组分铝蚀刻液、其制备方法与应用在审

专利信息
申请号: 202011573341.X 申请日: 2020-12-24
公开(公告)号: CN112795924A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 童晨;吴海燕;韩成强;孙元;陈桂红 申请(专利权)人: 昆山晶科微电子材料有限公司
主分类号: C23F1/20 分类号: C23F1/20;H01L21/3213
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215000 江苏省*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种双氧化组分铝蚀刻液、其制备方法与应用。该双氧化组分铝蚀刻液包括第一氧化组分和第二氧化组分,其中,第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1~2:3~5;第一氧化组分各组分及各组分含量为硝酸10~30wt%、醋酸盐缓冲溶液10~20wt%以及去离子水;第二氧化组分各组分以及各组分含量为双氧水10~30wt%、醋酸盐缓冲溶液10~20wt%、磷酸20~50wt%、阳离子表面活性剂10~20wt%以及去离子水。本申请提供的一种双氧化组分铝蚀刻液,能够快速蚀刻铝基金属,蚀刻速率约为并且添加的醋酸盐缓冲溶液能够控制蚀刻角度,蚀刻角度可控制在20~50°,可广泛的用于铝基半导体装置中。同时所述双氧化组分铝蚀刻液的制备方法简单易行、绿色环保是一种安全经济的制备工艺。
搜索关键词: 一种 氧化 组分 蚀刻 制备 方法 应用
【主权项】:
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