[发明专利]一种双氧化组分铝蚀刻液、其制备方法与应用在审
申请号: | 202011573341.X | 申请日: | 2020-12-24 |
公开(公告)号: | CN112795924A | 公开(公告)日: | 2021-05-14 |
发明(设计)人: | 童晨;吴海燕;韩成强;孙元;陈桂红 | 申请(专利权)人: | 昆山晶科微电子材料有限公司 |
主分类号: | C23F1/20 | 分类号: | C23F1/20;H01L21/3213 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 215000 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: |
本发明提供一种双氧化组分铝蚀刻液、其制备方法与应用。该双氧化组分铝蚀刻液包括第一氧化组分和第二氧化组分,其中,第一氧化组分和第二氧化组分质量比为1~2:3~5;第一氧化组分各组分及各组分含量为硝酸10~30wt%、醋酸盐缓冲溶液10~20wt%以及去离子水;第二氧化组分各组分以及各组分含量为双氧水10~30wt%、醋酸盐缓冲溶液10~20wt%、磷酸20~50wt%、阳离子表面活性剂10~20wt%以及去离子水。本申请提供的一种双氧化组分铝蚀刻液,能够快速蚀刻铝基金属,蚀刻速率约为 |
||
搜索关键词: | 一种 氧化 组分 蚀刻 制备 方法 应用 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于昆山晶科微电子材料有限公司,未经昆山晶科微电子材料有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202011573341.X/,转载请声明来源钻瓜专利网。