[发明专利]基片处理装置在审
| 申请号： | 202011576637.7 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN113161255A | 公开（公告）日： | 2021-07-23 |
| 发明（设计）人： | 樱井宏纪;后藤大辅;中泽贵士;高松祐助;桥本佑介 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种基片处理装置，其能够抑制在利用混合液的蚀刻处理结束时在混合部发生突沸反应。本发明的一个方式的基片处理装置包括升温部、混合部和释放部。升温部使硫酸升温。混合部将升温后的硫酸与含有水分的液体混合来生成混合液。释放部在基片处理部内对基片释放混合液。此外，混合部包括：合流部，其用于供升温后的硫酸流动的硫酸供给管路与供液体流动的液体供给管路合流；和反应抑制机构，其抑制合流部中的升温后的硫酸与液体的反应。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
