[发明专利]平板探测器的制备方法

摘要

本发明提供一种平板探测器的制备方法，在栅绝缘层中形成源电极互连孔和光电二极管通孔后，采用一层或叠层的金属隔离层，以隔离AOS TFT，可避免后续在制备PD成膜过程中，对AOS TFT中的非晶氧化物有源层造成损伤，避免非晶氧化物有源层的性能劣化，从而可提高平板探测器质量及性能；在制备完成PD后，通过对金属隔离层进行一次图形化，即可同时形成栅电极、光电二极管底电极及金属互联层，工艺简单，便于操作；通过缓冲层可减少衬底中的杂质离子进入器件中，且可减少薄膜或衬底的应力对器件的影响；栅电极可直接作为非晶氧化物有源层的遮光层，从而无需额外制备TFT的遮光层，以降低工艺复杂度及成本。