[发明专利]一种低导通电压氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法在审
| 申请号： | 202011581229.0 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112635579A | 公开（公告）日： | 2021-04-09 |
| 发明（设计）人： | 王祥骏;彭立仪;邱昭玮;邱显钦;敖金平 | 申请（专利权）人： | 宁波铼微半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329;H01L29/45;H01L29/417;H01L29/20 |
| 代理公司： | 北京细软智谷知识产权代理有限责任公司 11471 | 代理人： | 王睿 |
| 地址： | 315000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种低导通电压氮化镓肖特基势垒二极管，其中的阳极包括欧姆接触金属A、p型GaN层和二极管阳极电极，阴极为欧姆接触金属B，在欧姆接触金属A和欧姆接触金属B下方的AlGaN势垒层内形成金属扩散区。当施加正偏压于阳极时，p型GaN层和欧姆接触金属A为等电位，p型栅极区马上开启，电流藉由欧姆接触金属A流向欧姆接触金属B，欧姆接触金属A即可降低导通的电压；在反向电压下，电子导通通道关闭，二极管导通截止。此外p‑n接口的空乏区可以增强栅极空乏电子的能力，藉以降低漏电流并提升二极管的崩溃电压。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通电 氮化 肖特基势垒二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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