[发明专利]一种改善金属电极形貌的方法在审
申请号: | 202011581872.3 | 申请日: | 2020-12-28 |
公开(公告)号: | CN112768353A | 公开(公告)日: | 2021-05-07 |
发明(设计)人: | 郭文瑞;邓杨;向小健;郑泉水 | 申请(专利权)人: | 深圳清华大学研究院;清华大学 |
主分类号: | H01L21/3213 | 分类号: | H01L21/3213;B81C1/00 |
代理公司: | 深圳市惠邦知识产权代理事务所 44271 | 代理人: | 满群 |
地址: | 518057 广东省深圳市*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种改善金属电极形貌的方法,包括沉积金属薄膜、光刻显影、热处理和刻蚀的步骤,制备得到金属薄膜样品,通过在金属薄膜样品表面设置光刻胶层的微结构图案,然后调节光刻胶层的厚度、热处理的温度和时间等,能够实现光刻胶的尖角和侧壁的陡直度连续可调的效果,然后通过成熟的刻蚀工艺将光刻胶的形貌全部或局部的传递到下层的金属薄膜,能够实现金属薄膜样品的侧壁陡直角度可以大范围的调节,还可以避免尖角导致的电荷聚集的问题,有利于上层功能化的薄膜层等的制作,有利于多层功能器件的制备,且工艺方法简单和现有的生产线的兼容性较高,有利于产业直接导入应用。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 金属电极 形貌 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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