[发明专利]一种磁性存储单元及其的制备方法、磁性存储器在审
| 申请号： | 202011582841.X | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN114695647A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 何世坤;郑泽杰;周亚星 | 申请（专利权）人： | 浙江驰拓科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/08 | 分类号： | H01L43/08;H01L43/06;H01L43/14;H01L43/04;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 任美玲 |
| 地址： | 311300 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种磁性存储单元的制备方法，通过在预设的自旋轨道矩金属基体表面，向外依次设置磁性自由层、绝缘隧道层、磁性参考层及掩膜层，得到待刻蚀单元；对所述掩膜层、所述磁性参考层及所述绝缘隧道层进行刻蚀，得到包括柱状凸起的刻蚀工件；在所述刻蚀工件表面设置保护层；对柱状外围区的磁性自由层进行定向处理形成高电阻率区，得到存储单元预置物；去除所述存储单元预置物的掩膜层上方的保护层，得到磁性存储单元。本发明使所述磁性自由层起到了所述自旋轨道矩金属基体的保护层的作用，保障了所述自旋轨道矩金属基体的厚度均匀性不会被破坏。本发明同时还提供了一种具有上述有益效果的磁性存储单元及磁性存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 磁性 存储 单元 及其 制备 方法 存储器 | ||
【主权项】：
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