[发明专利]一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法在审
| 申请号： | 202011583980.4 | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112768346A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 厉文斌;赵颖;任勇;何悦 | 申请（专利权）人： | 横店集团东磁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/22 | 分类号： | H01L21/22;H01L21/225;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 322118 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种选择性发射极太阳能电池的扩散工艺方法，所述方法包括：将前处理后的硅片置于扩散设备中，抽真空后升温，通入氧气进行预氧化；然后升温，通入氧气和携磷源载气，沉积磷源；停止通气，继续升温后维持恒温，进行无源推进处理；然后降温，再次通气后沉积磷源；停止通入携磷源载气进行二次氧化，然后通气再次沉积磷源，得到扩散处理后的硅片。本发明通过对硅片扩散工艺的改进，通过对制备PN结前后磷源沉积浓度的控制，优化表面掺杂浓度和结深，改善蓝光响应，减少硅片内部缺陷；所述方法通过二次氧化能够为后续激光掺杂提供磷源，改善硅片表面沉积磷源浓度的一致性，有助于激光掺杂后方阻降幅的提高，从而提升光电转换效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 选择性 发射极 太阳能电池 扩散 工艺 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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