[发明专利]一种5G通信专用GaN微波功率器件及其封装工艺有效
| 申请号： | 202011585802.5 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112802815B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 黎荣林;王静辉;崔健;郭跃伟;段磊;闫志峰 | 申请（专利权）人： | 河北博威集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/495 | 分类号： | H01L23/495;H01L29/778;H01L21/48;H01L23/367 |
| 代理公司： | 石家庄众志华清知识产权事务所(特殊普通合伙) 13123 | 代理人： | 张建 |
| 地址： | 050200 河北省石*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本发明公开一种5G通信专用GaN微波功率器件及其封装工艺，包括壳体、金属热沉、GaN微波功率芯片、电容、电极支架和管帽，GaN微波功率芯片包括SiC衬底，SiC衬底上生长GaN HEMT外延结构，GaN HEMT外延结构包括氮化铝层、非掺杂GaN层、铝镓氮层多层结构，GaN HEMT外延结构上通过蒸发和剥离形成栅极，栅极两侧设置有源极和漏极，源极和漏极与GaN HEMT外延结构形成欧姆接触，源极、漏极、栅极之外的GaN HEMT外延结构上淀积SiN薄膜。本发明具有禁带宽度大，耐压能力高和电子饱和速度高等优势，对5G基站的性能有全面的提升，在微波通信方面的应用具有很大前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 通信 专用 gan 微波 功率 器件 及其 封装 工艺 | ||
【主权项】：
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