[发明专利]磁场传感器及其制备方法在审
| 申请号： | 202011586451.X | 申请日： | 2020-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN112881952A | 公开（公告）日： | 2021-06-01 |
| 发明（设计）人： | 王华;刘云启;于阳东;姜晨;孙欣;李路明;吕康康;牟成博;祝远锋;肖子洋 | 申请（专利权）人： | 国网江西省电力有限公司信息通信分公司;国家电网有限公司;上海大学;江西师范大学 |
| 主分类号： | G01R33/032 | 分类号： | G01R33/032 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 何世磊 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市青山湖*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提出一种磁场传感器及其制备方法，该磁场传感器包括入射单模光纤、出射单模光纤、硼锗共掺光纤和毛细管，硼锗共掺光纤熔接在入射单模光纤和出射单模光纤之间，激光器直接在硼锗共掺光纤上刻写接近色散拐点的长周期光纤光栅，长周期光纤光栅封装在毛细管内，毛细管内注射磁流体材料进行填充，毛细管的端口通过紫外固化胶密封。根据本发明提供的磁场传感器当外界磁场发生变化时，磁流体的折射率会随之改变，光谱上的两个波谷都会产生漂移，通过测量偏移后两个波谷的波长差，可实现对磁场的测量，具有高灵敏度、良好稳定性的优势。 | ||
| 搜索关键词： | 磁场 传感器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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