[发明专利]一种太阳能电池芯片及其制作方法有效

专利信息
申请号: 202011586812.0 申请日: 2020-12-28
公开(公告)号: CN112820785B 公开(公告)日: 2021-11-26
发明(设计)人: 杨文奕;张小宾;刘建庆;丁杰;丁亮 申请(专利权)人: 中山德华芯片技术有限公司
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/18
代理公司: 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 代理人: 何嘉杰
地址: 528437 广东省中山*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种太阳能电池芯片及其制作方法,包括依次叠放的正面电极层、太阳能功能层、锗衬底以及背面电极层,背面电极层在锗衬底的边缘设置有上沿部,上沿部延伸至锗衬底的侧面并且包覆于锗衬底的侧面,利用上沿部包覆于锗衬底的侧面,从而可以减薄锗衬底的厚度,降低重量,由于背面电极层能够拟补因为减薄锗衬底的厚度而缺失的机械强度,并且能够对锗衬底形成保护,锗衬底不易与外界物品发生直接碰击,锗衬底不易磨损,减低了锗衬底破片率。
搜索关键词: 一种 太阳能电池 芯片 及其 制作方法
【主权项】:
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