[发明专利]一种氮化镓材料的外延结构在审
| 申请号： | 202011590925.8 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112563120A | 公开（公告）日： | 2021-03-26 |
| 发明（设计）人： | 尹宝堂;吴军;田泽;田露;黎力韬 | 申请（专利权）人： | 广西华智芯半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/033 |
| 代理公司： | 沈阳维特专利商标事务所(普通合伙) 21229 | 代理人： | 王翠 |
| 地址： | 530000 广西壮族自治区南宁市高新区高新三*** | 国省代码： | 广西;45 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种氮化镓材料的外延结构，包括外延底座，外延底座包括衬底板，衬底板的上表面均匀光刻有图形结构，图形结构呈正六边形，每个图形结构外围处成型有隔离槽，隔离槽的横向间距等于图形结构的边缘垂直壁厚，衬底板的上表面纵向贴合有电极隔离条，衬底板的上表面横向贴合有分割隔离条，在生产氮化镓元件时，氮化镓在图形结构的上表面以及衬底板的上表面生长，并且在电极隔离条和分割隔离条的内壁之间生长，在隔离为器件大小的同时，还能够预留隔离出电极槽，有效的解决了现有的氮化镓材料在外延生长生产时为一体结构，因此后期切割、蚀刻槽位时比较麻烦的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化 材料 外延 结构 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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