[发明专利]一种量子芯片测试结构及其制备方法和测试方法有效
| 申请号： | 202011591315.X | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112782557B | 公开（公告）日： | 2021-09-07 |
| 发明（设计）人： | 赵勇杰 | 申请（专利权）人： | 合肥本源量子计算科技有限责任公司 |
| 主分类号： | G01R31/28 | 分类号： | G01R31/28;G01R31/26;H01L39/22;H01L39/02;H01L39/24 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230088 安徽省合肥市高新*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种量子芯片测试结构及其制备方法和测试方法，属于量子芯片制备与检测领域。其中，所述量子芯片测试结构包括：位于衬底上的超导约瑟夫森结及其连接结构；位于连接结构上的第一隔离层，第一隔离层上形成有贯穿第一隔离层的连接窗口；位于第一隔离层上的第二隔离层，第二隔离层上形成有沉积窗口，沉积窗口用于限定位于第一隔离层上的沉积区域，且连接窗口与沉积窗口相连；以及位于连接窗口内的电连接部和位于沉积窗口内的电连接层，电连接部的一端与连接结构连接，另一端与电连接层连接，电连接层用于实现与测试设备的电接触。本发明能实现超导约瑟夫森结的接触式测试。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 量子 芯片 测试 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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