[发明专利]一种碲化锑光电探测器件及其制备方法

摘要

本发明公开了一种碲化锑光电探测器件及其制备方法，方法包括：在衬底上蒸镀Sb2Te3薄膜生长的催化层；在具有催化层的衬底上蒸镀Sb2Te3薄膜；对Sb2Te3薄膜进行退火处理；在完成退火处理的Sb2Te3薄膜上蒸镀第一有机材料形成增强吸收层，形成衬底材料/Sb2Te3/第一有机材料异质结；在异质结两端制备电极得到碲化锑光电探测器件或线列，在可见光‑近红外波段的吸收明显提高并拥有较高的电子迁移率。本方法相比于化学气相沉积法(CVD)、分子束外延(MBE)、磁控溅射等镀膜方法，制备周期短，操作简单且制备的探测器性能优异，对新型低维材料、拓扑绝缘体光电探测器的研究提供了参考和理论实践依据。