[发明专利]半导体材料的抛光方法、用于锑化镓衬底抛光的抛光液在审
| 申请号： | 202011591853.9 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112701037A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 陈意桥;钱磊;周千学 | 申请（专利权）人： | 苏州焜原光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 苏芳玉 |
| 地址： | 215211 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明是针对采用现有技术CMP工艺对锑化镓等较软的半导体材料抛光时抛光磨料、抛光液中含有的金属离子等易附着在被抛光物的表面，使抛光物表面产生划痕、抛光液的寿命低的不足，提供一种半导体材料的抛光方法、用于锑化镓衬底抛光的抛光液，方法是对莫氏硬度为1.5‑6的半导体材料进行抛光,第一步为粗抛光，采用含有硬磨料的抛光液对半导体材料衬底片进行机械抛光，第二步为中抛光，中抛光液包括软抛光磨料、弱酸性氧化剂、有机酸、亲水性非离子表面活性剂、去离子水；第三步为精抛光，精抛光液包括弱酸性氧化剂、有机酸和去离子水，采用本发明的抛光方法对半导体材料进行抛光，消除蚀坑、划痕，减少凹坑，得到表面粗糙度良好的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体材料 抛光 方法 用于 锑化镓 衬底 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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