[发明专利]InAs/GaSb缓冲层、硅基锑化物半导体材料及其制备方法和元器件有效
| 申请号： | 202011595232.8 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112688157B | 公开（公告）日： | 2022-02-01 |
| 发明（设计）人： | 杜鹏 | 申请（专利权）人： | 湖南科莱特光电有限公司 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 王闯 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市雨花区*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请提供一种InAs/GaSb缓冲层、硅基锑化物半导体材料及其制备方法和元器件。InAs/GaSb缓冲层包括一个或多个基本缓冲单元，每个基本缓冲单元包括一个或多个基本单元层，每个基本单元层包括一组或多组交替设置的GaSb部分和InAs部分。硅基锑化物半导体材料包括硅衬底和纯镓锑层，硅衬底和纯镓锑层之间设置有InAs/GaSb缓冲层。其制备方法包括：在硅衬底上生长GaSb部分和InAs部分得到多个基本单元层；然后生长纯镓锑层。元器件，其原料包括InAs/GaSb缓冲层或硅基锑化物半导体材料。本申请提供的InAs/GaSb缓冲层能够降低硅与GaSb间的晶格失配，从而实现高质量锑化物外延生长。 | ||
| 搜索关键词： | inas gasb 缓冲 硅基锑化物 半导体材料 及其 制备 方法 元器件 | ||
【主权项】：
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