[发明专利]高利用率的带隙基准电路在审
| 申请号： | 202011595284.5 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112506262A | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 李飞;王志利;徐唱 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G05F1/567 | 分类号： | G05F1/567 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭立 |
| 地址： | 201314*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高利用率的带隙基准电路系统，包括：PTAT电流产生电路，用以产生带有温度系数的电流，基准电压输出电路，用以输出恒定的基准电压，温度系数电流输出电路，用以输出带有温度系数的电流来补偿其他具有相反温度系数的电路，所述基准电压输出电路中与电压输出端连接的通路至少有一个，所述通路中包括电阻阵列单元，所述电阻阵列单元用于消除输出的电压的温度变化。本发明的电路系统在产生特定温度系数电流的同时，采用两种不同的串联电阻去消除输出的电压的温度变化，并且电阻带档位的操作，极大的减小了电阻阵列的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 利用率 基准 电路 | ||
【主权项】：
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