[发明专利]一种检测PMOS器件NBTI退化的电路有效
| 申请号： | 202011598468.7 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112834890B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 赵东艳;王于波;陈燕宁;张海峰;付振;赵文龙;庞振江;周芝梅;刘芳;万勇;何燕冬 | 申请（专利权）人： | 北京智芯微电子科技有限公司;北京芯可鉴科技有限公司;国网思极紫光（青岛）微电子科技有限公司;国网信息通信产业集团有限公司;北京大学 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京润平知识产权代理有限公司 11283 | 代理人： | 王崇 |
| 地址： | 100192 北京市海淀区*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种检测PMOS器件NBTI退化的电路，包括：第一D触发器、第二D触发器以及包含多个被测PMOS器件的反相器链，反相器链中的每个反相器包括至少一个被测PMOS器件；反相器链的输出端与第一D触发器的时钟输入端相连接；除反相器链的输出端以外的任一反相器的输出端与第二D触发器的时钟输入端相连接；第一D触发器的Q信号输出端和第二D触发器的Q信号输出端通过至少一个异或门与反相器链的输入端相连接。本发明提供的电路是将占空比的测量转化为环形振荡器振荡周期的测量电路，通过得到的环形振荡周期可以直接计算得到反相器链的占空比的方法，从而能直观评估PMOS器件的NBTI退化效应，检测的时效性高且方便快捷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 检测 pmos 器件 nbti 退化 电路 | ||
【主权项】：
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