[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 202011601435.3 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN113745310A | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | 谷平圭;堀阳一 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/40;H01L29/872 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 牛玉婷 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式的半导体装置具备第一电极、连接于所述第一电极的第一导电型的第一半导体区域、设于所述第一半导体区域上并与所述第一半导体区域接触的第二导电型的第二半导体区域、设于所述第二半导体区域上并与所述第二半导体区域接触的多个第一金属层以及多个第二金属层、第三半导体区域、以及第二电极。所述第三半导体区域设于所述第一半导体区域与所述第一金属层之间，与所述第一半导体区域以及所述第二半导体区域接触，为所述第一导电型，杂质浓度比所述第一半导体区域的杂质浓度高。所述第二电极与所述第一半导体区域、所述第二半导体区域、所述第一金属层以及所述第二金属层接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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