[发明专利]一种超薄硅片的制备方法、超薄硅片以及太阳能电池在审
| 申请号： | 202011603101.X | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114695232A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 | 申请（专利权）人： | 隆基绿能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种超薄硅片的制备方法、超薄硅片以及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，在硅衬底上可以形成缺陷层与外延层，且缺陷层在硅衬底与外延层之间，通过在硅衬底进行加热的方法，使得硅衬底和外延层的界面处形成热膨胀应力，热膨胀应力具有较好的应力均匀性，便于外延层的剥离，由于对硅衬底施加热膨胀应力降低了对外延层剥离的难度，因此，也降低了对缺陷层中缺陷密度的要求，缺陷层中较低的缺陷密度可有效提高缺陷层上外延层的质量；同时，对硅衬底施加的热膨胀应力也降低了对外延层进行剥离时施加应力的要求，避免了高应力对外延层的破坏，提高了超薄硅片制备的良率和效率，工艺重复性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 硅片 制备 方法 以及 太阳能电池 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
