[发明专利]一种超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太阳能电池在审
| 申请号： | 202011603161.1 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN114695233A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 吴兆;徐琛;李子峰;靳金玲;解俊杰 | 申请（专利权）人： | 隆基绿能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 赵娟 |
| 地址： | 710100 陕西*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种超薄硅片的切片方法、超薄硅片以及太阳能电池，涉及太阳能光伏技术领域。其中，在硅块体的表层下方设置缺陷层，此时，可以对表层进行加热，使得缺陷层一侧的表层获得热膨胀应力，缺陷层另一侧的硅块体产生应力梯度，相比于未施加热膨胀应力时，表层与硅块体更易于从缺陷层的位置分离，从而降低了对缺陷层缺陷密度的要求，提高了缺陷层的设置速率以及表层的晶体质量；同时向表层施加的热膨胀应力，也可以在剥离表层的过程中降低对表层的边缘施加应力的要求，从而避免造成超薄硅片的损伤，提升切片得到的超薄硅片的质量，因此，本发明实施例提供的超薄硅片的切片方法生产速率高、重复性好、产品良率高，能够获得高质量的超薄硅片。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 硅片 切片 方法 以及 太阳能电池 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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