[发明专利]一种柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制作方法有效
申请号: | 202011604325.2 | 申请日: | 2020-12-29 |
公开(公告)号: | CN112713201B | 公开(公告)日: | 2021-08-27 |
发明(设计)人: | 魏婷婷;王兵;杜伟;黄辉廉;何键华 | 申请(专利权)人: | 中山德华芯片技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/0216 | 分类号: | H01L31/0216;H01L31/054;H01L31/055;H01L31/18 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 伍传松 |
地址: | 528437 广东省中山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种柔性砷化镓太阳能电池芯片及其制作方法,柔性砷化镓太阳能电池芯片包括:外延层;依次层叠设置于所述外延层下表面的第一电极、铜衬底及碳纳米管薄膜;覆盖于所述外延层上表面的减反射膜与接触层;第二电极,设置于所述接触层上表面。通过在铜衬底表面制备了一层碳纳米管薄膜,利用碳纳米管薄膜的材料特性,既保证了铜衬底的导电性,同时提升了铜的抗氧化能力,并对柔性芯片翘曲度有一定改善。 | ||
搜索关键词: | 一种 柔性 砷化镓 太阳能电池 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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