[发明专利]一种氮化物半导体材料的外延生长方法有效
| 申请号： | 202011604368.0 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112820626B | 公开（公告）日： | 2023-06-30 |
| 发明（设计）人： | 陈一仁;周星宇;张志伟;宋航;缪国庆;蒋红;李志明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;C30B25/02;C30B29/40 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 张雪娇 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种氮化物半导体材料的外延生长方法，包括：S1)在异质衬底上外延生长第一层氮化物半导体材料；S2)在第一层氮化物半导体材料上进行无掩膜湿法刻蚀，得到位错缺陷处形成微坑的第一层氮化物半导体材料，且微坑处裸漏出异质衬底；S3)在位错缺陷处形成微坑的第一层氮化物半导体材料上进行二次外延生长氮化物半导体材料。与现有技术相比，本发明利用异质外延材料自身的位错缺陷原位制备微纳尺度六角V型微坑，有效释放由于晶格失配及热失配引起的应力，再利用六角V型微坑中裸露的异质衬底和V型微坑上氮化物半导体材料的生长取向和生长速率差异性实现侧向外延，能够有效降低位错密度，提高氮化物半导体材料晶体质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 半导体材料 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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