[发明专利]基于CVD技术在异形件表面制备三维金属单质薄膜的设备及方法有效

专利信息
申请号: 202011604587.9 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN112813406B 公开(公告)日: 2023-07-14
发明(设计)人: 赵培;刘莎;徐源来 申请(专利权)人: 武汉工程大学
主分类号: C23C16/18 分类号: C23C16/18;C23C16/448;C23C16/52
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 代理人: 闭钊
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及一种基于CVD技术在异形件表面制备三维金属单质薄膜的设备及方法。该设备包括反应室腔体、喷液雾化系统、气体供给系统、真空系统、温控系统、数据采集系统以及计算机控制系统,其中反应室腔体分别与喷液雾化系统、真空系统、温控系统连通,气体供给系统分别与反应室腔体、喷液雾化系统连通,计算机控制系统与数据采集系统相连,数据采集系统与反应室腔体、喷液雾化系统、气体供给系统、真空系统、温控系统相连。液态前驱体随惰性气体输送至挥发罐顶部气化喷出,在载流气和还原保护气作用下进入反应室腔体内部并再次喷出,最终沉积在加热台上的异形件表面,得到三维金属单质薄膜。该方法具有沉积速率高、沉积范围广、绕镀性好等优点。
搜索关键词: 基于 cvd 技术 异形 表面 制备 三维 金属 单质 薄膜 设备 方法
【主权项】:
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