[发明专利]可变电阻式存储器结构及其形成方法在审
| 申请号： | 202011604690.3 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN114695655A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王温壬;郑钧鸿;王泉富 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种可变电阻式存储器结构及其形成方法，其中该可变电阻式存储器结构包含一可变电阻式存储器单元、间隙壁以及一介电层。可变电阻式存储器单元设置于一基底上。间隙壁设置于可变电阻式存储器单元侧边，其中间隙壁的上表面的宽度大于或等于下表面的宽度。介电层全面覆盖基底并夹置可变电阻式存储器单元，其中间隙壁位于介电层中。 | ||
| 搜索关键词： | 可变 电阻 存储器 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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