[发明专利]一种适用于HIT电池的ITO膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种适用于HIT电池的ITO膜的制备方法，属于镀膜工艺技术领域。本发明的方法为：先对硅片进行处理得到处理硅片，具体地，先对硅片进行制绒和清洗得到制绒后的n型单晶硅片；再采用化学气相沉积法对制绒后的n型单晶硅片的表面进行沉积得到处理硅片；然后利用第一离子源对处理硅片进行预处理；之后利用溅射电源和第二离子源对预处理后的处理硅片进行镀膜得到镀膜硅片，最后利用第三离子源对镀膜硅片进行处理。本发明克服了现有技术中ITO镀膜效率低且质量较差的不足，提供了一种适用于HIT电池的ITO膜的制备方法，通过离子源可以提高ITO膜的镀膜速度，并且可以提高ITO膜的晶化率，进而提高了ITO膜的镀膜质量。