[发明专利]硅片单侧膜淀积的方法在审
| 申请号： | 202011609514.9 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112802734A | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 方小磊;刘佳晶;于乐;陈涛;王宣欢;陈艳明 | 申请（专利权）人： | 长春长光圆辰微电子技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683;C23C16/04;C23C16/40;C23C16/455 |
| 代理公司： | 长春中科长光知识产权代理事务所(普通合伙) 22218 | 代理人： | 高一明;郭婷 |
| 地址： | 130000 吉*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种硅片单侧膜淀积的方法，提出硅片单侧膜淀积的方法，该方法为通过利用原子层沉积(ALD)设备在低温下实现硅片单侧薄膜淀积，即选择合适的背膜，并将此背膜通过一定的技术手段粘附在硅片的背面以防止硅片背面淀积薄膜，在淀积工艺完成后将背膜剥离即可。一般情况下，背膜可以在200℃‑300℃保持12小时而不熔化、收缩或变形。通过背膜的运用，实现了低温下(200℃‑300℃)硅片单侧膜沉积的目的，为后续工艺提供了方便条件。此种方法可应用于氧化铝，氧化铪等薄膜的制备，并且具有简便、易操作、成本低等优点。同时，制备的薄膜厚度线性可调(15A‑1000A)，均匀性好(均匀性小于0.5％)。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 单侧膜淀积 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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