[发明专利]半导体量子芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 202011610005.8 | 申请日： | 2020-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN112599595A | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 曹刚;康原;李宗祜;陈明博;李海欧;郭光灿;郭国平 | 申请（专利权）人： | 中国科学技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/66 | 分类号： | H01L29/66 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 王文思 |
| 地址： | 230026 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本公开提供一种半导体量子芯片，包括：基片，包括边缘刻蚀区域和中心高台区域，所述中心高台区域设有量子点区域和欧姆接触区域，所述量子点区域包括两侧刻蚀区域和中间量子点区域，所述两侧刻蚀区域上方镀有黏附层，所述黏附层上方镀有第一微磁体层；第一绝缘层，形成在所述基片上方，所述第一绝缘层中与所述欧姆接触区域对应的区域开设有欧姆接触窗口，所述欧姆接触窗口中制备有欧姆接触电极，所述第一绝缘层上制备有量子点电极，所述量子点电极一端延伸至所述第一绝缘层中与所述中间量子点区域对应的区域上方；第二微磁体层，形成于所述第一绝缘层中与所述量子点区域对应的区域上方。本公开还提供一种半导体量子芯片的制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 量子 芯片 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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