[发明专利]射频MEMS开关器件及其制作方法在审
| 申请号： | 202011610534.8 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112768261A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 戚昀;沈文江;杨媛媛 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01H1/00 | 分类号： | H01H1/00;B81C1/00 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;武岑飞 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 提供了一种射频MEMS开关器件，其包括：衬底；设置于所述衬底上的信号线、地线以及第一电极，所述信号线与所述地线彼此间隔，并且与所述第一电极连接；设置于所述第一电极上方以与所述第一电极面对的第二电极，所述第二电极与所述第一电极彼此间隔；连接所述第二电极和所述地线的铰链；其中，所述铰链、所述第二电极、所述信号线以及所述地线同时形成。还提供了一种射频MEMS开关器件的制作方法。本发明的射频MEMS开关器件及其制作方法，将共面波导与上电极同时构建形成，如此可以简化制作工艺。此外，由于共面波导与上电极同时构建形成，因此无需固定锚点，降低了开关的对准精度要求，并且缩短制作周期。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 mems 开关 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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