[发明专利]一种基于双参比电极的极低电位等势线绘制系统与方法在审

专利信息
申请号: 202011612065.3 申请日: 2020-12-30
公开(公告)号: CN112730567A 公开(公告)日: 2021-04-30
发明(设计)人: 章强;黄红科;刘朝;魏松林;娄骁;肖调兵;陈银强;桂春 申请(专利权)人: 中核武汉核电运行技术股份有限公司
主分类号: G01N27/403 分类号: G01N27/403;G01R29/12;G01S19/42;G01V3/08
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 李东斌
地址: 430223 湖北省武汉*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 发明涉及核电厂埋地管道维修技术领域,具体公开了一种基于双参比电极的极低电位等势线绘制系统与方法,该系统包括第一便携式硫酸铜参比电极、测距仪、电位采集记录仪和第二便携式硫酸铜参比电极,其中,所述第一便携式硫酸铜参比电极依次与测距仪、电位采集记录仪和第二便携式硫酸铜参比电极相连接,所述电位采集记录仪用来测量第一便携式硫酸铜参比电极和第二便携式硫酸铜参比电极之间的电位差,所述测距仪用来测量第一便携式硫酸铜参比电极和第二便携式硫酸铜参比电极之间的距离。该系统的使用,实现了在埋地管道非开挖的情况下,对埋地管道防腐层缺陷的极低电位等势线进行绘制,操作快捷方便,结构设计巧妙,功能可靠,操作便捷。
搜索关键词: 一种 基于 参比电极 电位 绘制 系统 方法
【主权项】:
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