[发明专利]一种MOSFET管的测试电路及其测试方法在审
| 申请号： | 202011613309.X | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114764116A | 公开（公告）日： | 2022-07-19 |
| 发明（设计）人： | 曹佶;任旭东 | 申请（专利权）人： | 浙江杭可仪器有限公司 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 311200 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MOSFET管的测试电路，包括多个串联连接的测试模块，所述测试模块包括MOSFET管、设置在所述MOSFET管内的二极管D和用于输出加热电流和测试电流的驱动单元，所述MOSFET管的源极和漏极通过所述二极管D电性连接，所述MOSFET管的源极和漏极均分别电性连接所述驱动单元，所述驱动单元包括控制所述MOSFET管导通电压的电源U，所述电源U与所述MOSFET管的栅极电性连接。其还公开了上述测试电路的测试方法。其容易给MOSFET管的内部加热，且不易烧坏MOSFET管外部的封装。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 测试 电路 及其 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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