[发明专利]一种测量磁性多层膜自旋阀自旋塞贝克系数的方法在审
| 申请号： | 202011614618.9 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112697836A | 公开（公告）日： | 2021-04-23 |
| 发明（设计）人： | 杨杭福;黄霞妮;吴琼;泮敏翔;葛洪良 | 申请（专利权）人： | 杨方宗 |
| 主分类号： | G01N25/20 | 分类号： | G01N25/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 318208 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种测量磁性多层膜自旋阀自旋塞贝克系数的方法，包括以下步骤：在磁性多层膜自旋阀样品表面镀一层Al薄膜作为激发层，以飞秒激光作为测量光源，激光脉冲打在Al激发层，测量自旋阀在反平行态（AP）的电压(V |
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| 搜索关键词： | 一种 测量 磁性 多层 自旋 旋塞 贝克 系数 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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