[发明专利]成膜装置和成膜方法在审

专利信息
申请号: 202011614942.0 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN113088903A 公开(公告)日: 2021-07-09
发明(设计)人: 石桥翔太;户岛宏至;岩下浩之;平泽达郎 申请(专利权)人: 东京毅力科创株式会社
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/16;C23C14/50;C23C14/54;H01L21/283
代理公司: 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 代理人: 刘新宇;张会华
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明提供成膜装置和成膜方法。该成膜装置包括:靶保持件,其以靶朝向基板且靶沿水平面内的预定的方向延伸的方式在正面保持靶;磁体单元,其具有通过排列磁体而构成的磁体排列体,设于靶保持件的背面侧;一对遮蔽构件,其在被靶保持件保持的靶与基板之间以自靶朝向基板延伸的方式设置;和移动机构,其使磁体单元以在被靶保持件保持的靶的预定的方向上的一端与另一端之间进行往复运动的方式移动,磁体单元以磁体排列体沿着预定的方向并列的方式设有一对,遮蔽构件分别在俯视时设于在磁体单元进行往复运动的期间内一对磁体排列体中的仅一者通过的第1区域与在磁体单元进行往复运动的期间内一对磁体排列体中的两者通过的第2区域之间的边界线上。
搜索关键词: 装置 方法
【主权项】:
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