[发明专利]一种单晶生长装置有效
| 申请号： | 202011615411.3 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112831840B | 公开（公告）日： | 2022-05-10 |
| 发明（设计）人： | 杨树;张洁;洪棋典;廖弘基 | 申请（专利权）人： | 湖南三安半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 冯洁 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市高新开发*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种单晶生长装置，涉及晶片生长设备技术领域。该单晶生长装置，包括坩埚、籽晶结构、加热件、导向组件和多孔石墨板；坩埚的顶壁内侧配置成安装碳化硅碎晶片；导向组件设置在坩埚内部；导向组件内部形成第一容腔，籽晶结构设置在第一容腔的底壁；导向组件的外侧壁和坩埚的内侧壁共同形成第二容腔，第二容腔用于装盛碳化硅，第二容腔具有朝向坩埚的顶壁的开口；第一容腔和第二容腔通过开口连通；加热件设置在坩埚的外侧，加热件配置成向坩埚的侧壁提供热量，还配置成向坩埚的顶壁提供热量；多孔石墨板安装在第二容腔内部，且配置成供气态碳化硅穿过。本发明提供的单晶生长装置可以减少晶体中碳包覆物的产生，提高晶体品质。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 生长 装置 | ||
【主权项】：
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