[发明专利]氮化镓基发光二极管外延片的制造方法在审
| 申请号： | 202011618808.8 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112768570A | 公开（公告）日： | 2021-05-07 |
| 发明（设计）人： | 曹阳;乔楠;梅劲;王群;吕蒙普 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种氮化镓基发光二极管外延片的制造方法，属于半导体技术领域。所述制造方法包括提供一衬底；在所述衬底上依次生长缓冲层、未掺杂的GaN层、N型层、有源层和P型GaN层；其中，循环以下步骤直至生长出厚度为50～100nm的所述P型GaN层：向反应腔内持续通入氨气，在第一时间段内向反应腔内通入Ga源，在第二时间段内停止向反应腔内通入Mo源，在第三时间段内向反应腔内通入Mg源，在第四时间段内停止向反应腔内通入Mo源；所述第一时间段、所述第二时间段、所述第三时间段和所述第四时间段为连续的四个时间段，所述第一时间段、所述第二时间段、所述第三时间段和所述第四时间段构成一循环周期。该制造方法可以提高P型GaN层中Mg的有效掺杂浓度。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化 发光二极管 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
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