[发明专利]一种基于谐振器的刻蚀终点检测系统和方法在审
| 申请号： | 202011619730.1 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112820661A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 张忠山;李俊杰 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于谐振器的刻蚀终点检测系统，包括谐振器，被放置在刻蚀腔体中并与待刻蚀样品一起被刻蚀；检测器，与所述谐振器相连接，用于检测并输出所述谐振器的参数；和比较器，与所述检测器相连接，用于接收并比较所述谐振器的参数与预设值。与激光干涉和物质光谱检测系统相比，谐振器与样品处于相同环境中，而且与样品材料相同，因而该系统具有的更高的检测精度。在该检测系统中，与激光干涉检测系统相比，检测位置放在被刻蚀样品以外区域，增加了样品有效面积；与物质光谱检测系统相比，信号采集与样品刻蚀独立，可以实现更小刻蚀面积样品检测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 谐振器 刻蚀 终点 检测 系统 方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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