[发明专利]一种可进行大批量生产的碳化硅半导体材料制备工艺有效
| 申请号： | 202011620060.5 | 申请日： | 2020-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN112635303B | 公开（公告）日： | 2021-09-17 |
| 发明（设计）人： | 吴银雪 | 申请（专利权）人： | 美尔森银河新材料（烟台）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/205 |
| 代理公司： | 烟台双联专利事务所(普通合伙) 37225 | 代理人： | 牟晓丹 |
| 地址： | 264000 山东省*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种可进行大批量生产的碳化硅半导体材料制备工艺，具体包括以下步骤：S1、先将待处理的碳化硅半导体材料放置于旋转式CVD反应装置中，然再密封反应装置；S2、沉积结晶处理；S3、更换下一批待处理的半导体材料，重复步骤处理，本发明涉及碳化硅半导体材料加工技术领域。该可进行大批量生产的碳化硅半导体材料制备工艺，可实现通过将罩体与反应器主体之间进行既快速又方便的拆卸处理，很好的达到了通过将罩体进行快速开合，来使生产人员能够进行快速卸料和上料的目的，可实现通过对CVD反应器内部的材料放置结构进行创新，来适应大批量生产，能够实现一次处理更多样品，使生长的晶体更加均匀，大大提升了生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 进行 大批量 生产 碳化硅 半导体材料 制备 工艺 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
