[发明专利]一种改善接触钝化太阳能电池金属接触的复合膜结构的制备方法有效
申请号: | 202011621299.4 | 申请日: | 2020-12-31 |
公开(公告)号: | CN112542520B | 公开(公告)日: | 2022-08-05 |
发明(设计)人: | 赵俊霞;刘松民;吕俊;王建波 | 申请(专利权)人: | 三江学院 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/0216;H01L31/0236;H01L31/06;H01L31/18 |
代理公司: | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人: | 钱超 |
地址: | 210012 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本申请公开一种改善接触钝化太阳能电池金属接触的复合膜结构的制备方法,对硅片进行清洗和碱制绒,在硅片正面制备发射极,边缘刻蚀,采用热氧化方式,采用LPCVD方式在电池背面沉积原位掺磷非晶硅薄膜,采用湿化学的方式将LPCVD产生的绕镀非晶硅刻蚀干净,对电池片进行退火,形成掺磷多晶硅薄膜,正面通过管式2合一设备沉积氧化铝钝化层与氮化硅减反射膜,背面通过PECVD设备沉积氮化硅减反射膜,采用无损开孔激光在氮化硅减反射膜上进行图形化无损激光开孔,采用ALD在电池片背面沉积一层二氧化钛薄膜,采用ALD在电池片背面沉积一层氟化镁薄膜,在电池片背面印刷铝浆形成背面铝电极。 | ||
搜索关键词: | 一种 改善 接触 钝化 太阳能电池 金属 复合 膜结构 制备 方法 | ||
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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