[发明专利]电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法

摘要

电磁场耦合高深宽比刻蚀硅基方法，包括以下步骤：S1、在硅基上设置光刻胶模板作为硅基的掩膜，并在光刻胶模板上放置催化剂层，催化剂层由贵金属催化剂层和磁性层组成，贵金属催化剂层位于磁性层的上下两侧；S2、在硅基的下方放置电磁铁，电磁铁和磁性层位于硅基的相对两侧；S3、在硅基的上下两侧加设电极板，并通入直流电源；与现有技术相比，使得金属颗粒与硅基接触更加紧密，催化剂与硅基接触的有效面积增大，促使硅基内产生的空穴能够尽快地被溶解，避免晶格缺陷的产生，降低孔隙率，从而改进硅基圆柱孔壁的表面质量，避免在后续成形过程中产生过多的机械应力。