[发明专利]局部字线驱动器件、存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 202011626649.6 | 申请日： | 2019-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN112786605B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 甘程;刘威;黄诗琪;陈顺福 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H10B41/41 | 分类号： | H10B41/41;H10B41/42;H10B43/40;H10B43/20;H10B41/20 |
| 代理公司： | 北京永新同创知识产权代理有限公司 11376 | 代理人： | 张殿慧;刘健 |
| 地址： | 430074 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了局部字线驱动器件、存储器件和制造方法。局部字线驱动器件包括衬底和在衬底上形成的晶体管结构的阵列。晶体管结构被配置在行和列中。衬底包括多个第一场区和多个第二场区，每个第一场区在晶体管结构的相邻行之间，以及每个第二场区在晶体管结构的相邻列之间。深沟槽隔离结构在衬底的多个第一场区或多个第二场区中的至少一个场区中形成。 | ||
| 搜索关键词： | 局部 驱动 器件 存储 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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