[发明专利]非易失性存储器的坏块修复方法、装置、存储介质和终端在审

专利信息
申请号: 202011632862.8 申请日: 2020-12-31
公开(公告)号: CN112542203A 公开(公告)日: 2021-03-23
发明(设计)人: 王文静 申请(专利权)人: 深圳市芯天下技术有限公司
主分类号: G11C29/44 分类号: G11C29/44;G11C29/00
代理公司: 佛山市海融科创知识产权代理事务所(普通合伙) 44377 代理人: 陈志超;唐敏珊
地址: 518000 广东省深圳市龙岗区横*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种非易失性存储器的坏块修复方法、装置、存储介质和终端,当Nor Flash开始擦除操作后,先验证待擦除的模块是否需要进行擦除,若验证不通过,则计数执行第一次擦除操作;当执行完擦除操作后,再次验证该模块是否擦除完成,若验证不通过,则再次计数执行第二次擦除操作;本方案通过持续累计执行擦除操作次数,当次数超过设定值后,系统将自动判断本次擦除操作失败,并将该块模块标记为坏块;同时,记录坏块地址,并用可替换块模块替换掉该坏块;结束本次擦除操作;当后续读写擦操作再次对该坏块地址进行操作时,芯片会自动摒弃该坏块,直接对替换的模块进行操作;通过本方案自动修复芯片产生的擦除问题,从而延长芯片寿命。
搜索关键词: 非易失性存储器 修复 方法 装置 存储 介质 终端
【主权项】:
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