[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 202011634014.0 | 申请日： | 2020-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN112786700A | 公开（公告）日： | 2021-05-11 |
| 发明（设计）人： | 郝荣晖;黄敬源 | 申请（专利权）人： | 英诺赛科（苏州）半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335 |
| 代理公司： | 深圳宜保知识产权代理事务所(普通合伙) 44588 | 代理人： | 王琴;曹玉存 |
| 地址： | 215211 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种半导体器件，其包括第一氮化物半导体层、第二氮化物半导体层、源极、漏极、栅极、多个第一p型掺杂氮化物半导体岛、第二p型掺杂氮化物半导体岛以及介电层。第二氮化物半导体层设置于第一氮化物半导体层上，且具有的带隙大于第一氮化物半导体层的带隙。源极、漏极和栅极设置于第二氮化物半导体层上。第一p型掺杂氮化物半导体岛设置于第二氮化物半导体层上，以形成从第二氮化物半导体层突出的轮廓，其中部分的漏极覆盖在第一p型掺杂氮化物半导体岛之上，使得漏极的所述部分与第一p型掺杂氮化物半导体岛的轮廓共形。第二p型掺杂氮化物半导体岛设置于第二氮化物半导体层与栅极之间。介电层至少覆盖在栅极上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
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