[发明专利]核壳量子点及其制备方法在审
| 申请号： | 202011636048.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN114686207A | 公开（公告）日： | 2022-07-01 |
| 发明（设计）人： | 葛剑超 | 申请（专利权）人： | TCL科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/02 | 分类号： | C09K11/02;C09K11/88;B82Y20/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 | 代理人： | 方良 |
| 地址： | 516006 广东省惠州市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种核壳量子点及其制备方法。该核壳量子点的制备方法包括如下步骤：提供硅量子棒；在所述硅量子棒表面生长无镉半导体壳层，得到核壳量子点。本申请通过在硅量子棒表面生长无镉半导体壳层，这样得到的核壳量子点包括硅量子棒和包覆在硅量子棒表面的无镉半导体壳层，该制备方法得到无镉材料的核壳量子点消除了后续应用方面的重金属污染危害，同时提高了核壳量子点整体的生物亲和度和利用度，扩大了应用领域；而且无镉半导体壳层的包覆，不仅提高了硅量子点的耐氧化性，而且提高了其稳定性，因此具有很好的发光性能，可以促进其在后续发光器件中的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 量子 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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