[发明专利]存储单元及存储器在审
| 申请号： | 202011636432.3 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112687301A | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 杨展悌;苏炳熏;叶甜春;罗军;赵杰;薛静 | 申请（专利权）人： | 广东省大湾区集成电路与系统应用研究院;澳芯集成电路技术（广东）有限公司 |
| 主分类号： | G11C5/06 | 分类号： | G11C5/06 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杨明莉 |
| 地址： | 510000 广东省广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储单元及存储器，包括比特单元、全耗尽绝缘体上硅及背压引线；比特单元包括：第一晶体管，第二晶体管，第一反相器，第二反相器，第一晶体管和第二晶体管均形成于全耗尽绝缘体上硅上，背压引线从全耗尽绝缘体上硅的内部引出并延伸至全耗尽绝缘体上硅的外部，背压引线包括与第一晶体管对应的第一背压引线和/或与第二晶体管对应的第二背压引线，第一背压引线用于向第一晶体管施加第一预设背压，第二背压引线用于向第二晶体管施加第二预设背压。上述存储单元和存储器将比特单元充分利用了全耗尽绝缘体上硅特有的背部偏压工艺，从而对比特单元进行优化和改良，以实现不同的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 单元 存储器 | ||
【主权项】：
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