[发明专利]半导体器件的封装方法在审
| 申请号： | 202011636677.6 | 申请日： | 2020-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN112820655A | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | 甄哲;武瑞杰;张瑞朋;丁敬秀 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/56 | 分类号： | H01L21/56;H01L21/78;H01L23/31;H01L23/29 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 刘亭 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体器件的封装方法，所述半导体器件的封装方法，包括：提供第一衬底晶圆，所述第一衬底晶圆的上表面形成有多个芯片；在所述第一衬底晶圆上形成支撑层，所述支撑层内具有第一开口，所述第一开口贯穿所述支撑层暴露出所述芯片；在所述支撑层上形成封盖层，所述封盖层覆盖所述第一开口以形成空腔；切割所述封盖层、所述支撑层和所述第一衬底晶圆。本发明通过在第一衬底晶圆上形成支撑层、封盖层，以提高第一衬底晶圆和支撑层以及支撑层和封盖层的结合强度，从而提高有封盖层、支撑层和第一衬底晶圆围成的空腔结构的可靠性，确保空腔结构具备较好的气密性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 封装 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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